Перечень исследовательских услуг, оказываемых в центре коллективного пользования


Электронно-микроскопические исследования твердых тел

  • Морфология поверхности;
  • Размер и форма частиц, в том числе наночастиц; определение элементного состава и структуры, в том числе нанообъектов;
  • Определение толщины пленок;
  • Исследование межфазных и межзеренных границ;
  • Определение монокристалличности; определение сплошности покрытия.

Спектроскопические исследования твердых тел

  • Определение фазового состава приповерхностных слоев твердых тел;
  • Послойный анализ (распределение примесей по глубине);
  • Полуколичественный и качественный элементный анализ поверхности твердых тел;
  • Определение химического состояния элементов в приповерхностных слоях твердых тел;
  • Определение валентного состояния твердых тел;
  • Определение химических связей в приповерхностных слоях твердых тел; определение толщины покрытия;
  • Локальный 2D - анализ;
  • Получение карты распределения химического состояния элемента;
  • Исследование профиля концентраций полимерных, органических, биологических и гибридных наноматериалов;
  • Исследование высокоомных диэлектриков.

Рентгеноструктурные методы исследования

  • Проведение качественного фазового анализа;
  • Оценка структурного совершенства кристаллов;
  • Анализ текстуры;
  • Исследование тонкопленочных (в том числе многослойных) структур;
  • Исследование квантово-размерных структур разной размерности (квантовые ямы, квантовые нити, квантовые точки);
  • Определение структурных параметров наночастиц в тонких слоях;
  • Изучение микродефектов и радиационных повреждений в монрокристаллах;
  • Определение шероховатости поверхности и межслойных границ в гетероструктурах;
  • Контроль качества обработки поверхности;
  • Исследование поведения точечных дефектов в сильно неравновесных полупроводниковых системах (ионно-легированные кристаллы, облученные нейтронами объемные кристаллы).
  • Комплексная услуга по исследованию фазового состава и структуры материалов методом рентгеновской дифрактометрии

Локальное ионное травление поверхности образцов и ионностимулированное осаждение металлических и диэлектрических покрытий, приготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии

  • Подготовка образцов для исследования поперечного сечения методом электронной микроскопии высокого разрешения;
  • Подготовка поверхности образцов для исследований методом сканирующей туннельной микроскопии;
  • Исследование внутренней приповерхностной структуры при помощи послойного травления образцов.

Исследования поверхности методами сканирующей зондовой микроскопии

  • Исследование поверхности твердых тел;
  • Высоковольтная микроскопия пьезоотклика (HV-PFM);
  • Исследование пробоя диэлектриков;
  • Сканирование в жидкости;
  • Сканирование мягких образцов (полимерных пленок, биомолекул и др.);
  • Получение топографии и механических свойств поверхности;
  • Распределение поверхностного потенциала и работы выхода
  • Комплексная услуга по определению глубины травления и шероховатости поверхности кристаллов и тонких пленок

Определение тепловых эффектов фазовых переходов, их температуры, а также теплоемкости для широкого спектра конденсированных материалов в температурном интервале от 25 до 1650°С методом дифференциальной сканирующей калориметрии


Определение теплопроводности (температуропроводности) твердых материалов в интервале температур от 25 до 1100°С методом лазерной вспышки


Комплексная услуга по прободготовке образцов для исследования методами сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии


Комплексная методика исследования влияния облучения кластерными пучками на химический состав и морфологию поверхности кристаллов ниобата лития

Комплексная методика исследования влияния облучения кластерными пучками на химический состав и морфологию поверхности кристаллов ниобата лития


Комплексная методика исследования размеров элементов структуры и состава высокотемпературных оксидных соединений

Комплексная методика исследования размеров элементов структуры и состава высокотемпературных оксидных соединений

Используемое оборудование:

Реквизиты центра

тел./факс: (495)638-45-46

e-mail: mvoron@bk.ru
Воронова Марина Игоревна

адрес: 119049, Москва, Ленинский пр-кт., д.4, комн. Б-08 - Б-014


Работы по развитию ЦКП осуществляются при финансовой поддержке государства в лице Минобрнауки России.

Проект 13.ЦКП.21.0033.

Соглашение 075-15-2021-696.


Доступ к проведению исследований на оборудовании ЦКП осуществляется на основе договора с одновременным заполнением заявки-заказа:

Типовой договор на оказание услуг

Заявка-заказ на проведение исследований

Договор присоединения