Все аналитическое оборудование центра ежегодно калибруется и поверяется органом Государственной метрологической службы и имеет свидетельства о калибровке или поверке.

No п/п

Наименование единицы оборудования

Номер сертификата калибровки средств
измерений/свидетельство о поверке

1

Рентгеновский фотоэлектронный спектрометр VersaProbeII

№126-2022 (сертификат калибровки)

2

Многоцелевой автоматизированный рентгеновский дифрактометр BedeD1

№894 (сертификат калибровки)

3

Растровый электронный микроскоп JSM-6480LV

№139-2022 (сертификат калибровки)

4

Растровый электронный микроскоп JSM-6700F с приставкой энергодисперсионного микроанализатора JED-2300F

№904 (сертификат калибровки)

5

Просвечивающий электронный микроскоп JEM-2100A

№137-2022 (сертификат калибровки)

6

Cканирующий ионный микроскоп Strata FIB 205

№140-2022 (сертификат калибровки)

7

Сканирующий зондовый микроскоп MFP 3D Stand Аlone

№138-2022 (сертификат калибровки)

8

Рентгеновский дифрактометр D2 PHASER

№С-ВХЯ/11-10-022/194126668 (сертификат калибровки)

9

Дифференциальный сканирующий калориметр DSC 404 C Pegasus

№442-92842-2022-235 4 155 G (сертификат калибровки)

Исследования в центре проводятся по разрабатываемым в ЦКП методикам выполнения исследований, которые аттестуются органом Государственной метрологической службы или университетом.

Перечень методик, используемых ЦКП

1. Методика выполнения измерений молярных долей компонентов углерода с SP2 и SP3 -типом гибридизации. Метод количественного разделения SP2 и SP3 связанных атомов углерода в углеродных материалах со смешанным типом связей.

2. Методика определения химического состава катализатора в нанопористых каталитических мембранных материалах методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.

3. Методика определения линейных размеров объектов методом растровой электронной микроскопии.

4. Методика приготовления образцов методом скола при низких температурах.

5. Методика определения элементного состава с помощью функции цифрового картирования элементов.

6. Методика анализа структур термоэлектрических материалов по уширению дифракционных линий.

7. Методика контроля однородности состава термоэлектрических материалов по параметру решетки с помощью рентгеновского дифрактометра.

8. Методика оценки микронеоднородности состава по расщеплению Kα-дублета дифракционных линий.

9. Методика выполнения измерения химического состава оксидных наноразмерных структур.

10. Методика приготовления образцов ZrO2, легированных Y2O3 для исследования методом просвечивающей электронной микроскопии.

11. Методика выполнения измерений теплопроводности термоэлектрических материалов.

12. Методика выполнения измерений методом рентгеновской дифрактометрии. Фазовый анализ порошковых поликристаллических наноматериалов.

13. Методика выполнения измерений методом рентгеновской дифрактометрии. Определение толщины и концентрации Ge в гетероэпитаксиальной системе Si1-xGex/Si.

14. Методика изготовления микроманипуляторов на основе материалов с ЭПФ различных конфигураций.

15. Методика выполнения измерений линейных размеров элементов структуры наноматериалов и определения фазового состава.

16. Методика калибровки рентгеновского фотоэлектронного спектрометра.

17. Методика выполнения измерений линейных размеров элементов структуры термоэлектрических материалов на просвечивающем электронном микроскопе.

18. Методика определения фазового состава образца в локальных областях по дифракционной картине на просвечивающем электронном микроскопе.

19. Методика исследования химического состава поверхности полимеров (полиимида, поливинилтриметилсилана), модифицированных обработкой в плазме.

20. Методика количественного фазового анализа поликристаллических материалов.

21. Методика определения тонкой структуры поликристаллических материалов.

22. Комплексная методика определения глубины травления и шероховатости поверхности кристаллов и тонких пленок.

23. Комплексная методика анализа текстуры материалов с помощью построения прямых и обратных полюсных фигур.

24. Комплексная методика определения размеров частиц нанопорошков методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии.

25. Методика определения микронапряжений поликристаллических материалов.

26. Методика определения глубины травления и шероховатости поверхности кристаллов и тонких пленок.

27. Методика исследования фазового состава и структуры материалов методом рентгеновской дифрактометрии.

Реквизиты центра

тел./факс: (495)638-45-46

e-mail: mvoron@bk.ru
Воронова Марина Игоревна

адрес: 119049, Москва, Ленинский пр-кт., д.4, комн. Б-08 - Б-014


Работы по развитию ЦКП осуществляются при финансовой поддержке государства в лице Минобрнауки России.

Проект 13.ЦКП.21.0033.

Соглашение 075-15-2021-696.


Доступ к проведению исследований на оборудовании ЦКП осуществляется на основе договора с одновременным заполнением заявки-заказа:

Типовой договор на оказание услуг

Заявка-заказ на проведение исследований

Договор присоединения